4n65場效應管,650v4a mos,KIA4N65HF參數引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-26
KIA4N65HF場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流4A，采用KIA先進平面條紋DMOS技術制造，可顯著降低導通電阻、提升開關性能，并在雪崩模式和換向模式下具備優異的高能脈沖耐受能力；具有低導通電阻RDS(開啟) 2.5Ω，低柵極電荷16nC，高效低耗；以及高堅固性、快速開關、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，穩定可靠；非常適合高效開關電源及功率因數校正系統等應用；封裝形式：TO-220F。
詳細參數：
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
導通電阻：2.5Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：180MJ
功率耗散：34W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：16nC
輸入電容：560PF
輸出電容：55PF
反向傳輸電容：7PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：40nS
上升時間：40ns
下降時間：50ns
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