KNK7880A場效應管漏源擊穿電壓800V，漏極電流27A，采用先進的平面工藝制造，低...KNK7880A場效應管漏源擊穿電壓800V，漏極電流27A，采用先進的平面工藝制造，低導通電阻RDS(開啟) 280mΩ，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，高效率低...
當對角線上的開關管（如Q1和Q4）同時導通時，電流路徑為：電源正極→Q1→高頻變...當對角線上的開關管（如Q1和Q4）同時導通時，電流路徑為：電源正極→Q1→高頻變壓器初級繞組→Q4→電源負極。此時，變壓器初級繞組承受正向輸入電壓，能量從原邊傳...
兩個NPN 晶體管將啟用推挽功能。兩個晶體管 Q1 和 Q2 不能同時導通。當 Q1 開啟...兩個NPN 晶體管將啟用推挽功能。兩個晶體管 Q1 和 Q2 不能同時導通。當 Q1 開啟時，Q2 將保持關閉狀態，當 Q1 關閉時，Q2 將開啟。它會按順序發生，并將繼續循環。...
KND8606B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進的平面條紋DMOS技術制...KND8606B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流35A，采用先進的平面條紋DMOS技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 15mΩ，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并...
變壓器連接在四橋臂中間，相對的兩對功率開關器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導通或截...變壓器連接在四橋臂中間，相對的兩對功率開關器件VT1-VT4和VT2-VT3交替導通或截止，使變壓器的二次側有功率輸出。當功率開關器件VT1-VT4-導通時，VT2-VT3則截止，...
已知UP由RV1和R4串聯從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調整到UP=0.5V，由于運放都具...已知UP由RV1和R4串聯從+12V分壓，圖中把RV1的阻值調整到UP=0.5V，由于運放都具有虛短特性，當流過NMOS管Q1的電流大于1A時，R2兩端電壓大于0.5V，此時虛短特性發揮...
