NMOS管-NMOS管組織結構、工作原理及參數、方程等基本知識大全-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-08-24
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。
在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。P溝道增強型MOS管的箭頭方向與上述相反，如圖(c)所示。
（1）vGS對iD及溝道的控制作用
① vGS=0 的情況
從圖1(a)可以看出，增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結處于反偏狀態，漏——源極間沒有導電溝道，所以這時漏極電流iD≈0。
② vGS>0 的情況
若vGS＞0，則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產生一個電場。電場方向垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。
排斥空穴：使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥，剩下不能移動的受主離子(負離子)，形成耗盡層。吸引電子：將 P型襯底中的電子（少子）被吸引到襯底表面。
（2）導電溝道的形成：
當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。
上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時，不能形成導電溝道，管子處于截止狀態。只有當vGS≥VT時，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時才能形成導電溝道的MOS管稱為增強型MOS管。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產生。
vDS對iD的影響
如圖(a)所示，當vGS>VT且為一確定值時，漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結型場效應管相似。
漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓最大，這里溝道最厚，而漏極一端電壓最小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道最薄。但當vDS較小（vDS隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現預夾斷，如圖2(b)所示。再繼續增大vDS，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進入飽和區，iD幾乎僅由vGS決定。
（1）特性曲線和電流方程
1）輸出特性曲線
N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1(a)所示。與結型場效應管一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。
2）轉移特性曲線
轉移特性曲線如圖1(b)所示,由于場效應管作放大器件使用時是工作在飽和區(恒流區),此時iD幾乎不隨vDS而變化,即不同的vDS所對應的轉移特性曲線幾乎是重合的,所以可用vDS大于某一數值(vDS＞vGS-VT)后的一條轉移特性曲線代替飽和區的所有轉移特性曲線。
3）iD與vGS的近似關系
與結型場效應管相類似。在飽和區內,iD與vGS的近似關系式為
式中IDO是vGS=2VT時的漏極電流iD。
（2）參數
MOS管的主要參數與結型場效應管基本相同，只是增強型MOS管中不用夾斷電壓VP ，而用開啟電壓VT表征管子的特性。
（1）結構：
N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。
（2）區別：
耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導電溝道產生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現導電溝道。
（3）原因：
制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vGS=0時，在這些正離子產生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應生成N溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD。
如果加上正的vGS，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，iD增大。反之vGS為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，iD減小。當vGS負向增加到某一數值時，導電溝道消失，iD趨于零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓，仍用VP表示。與N溝道結型場效應管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值，但是，前者只能在vGS<0的情況下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP。
（4）電流方程：
在飽和區內，耗盡型MOS管的電流方程與結型場效應管的電流方程相同。
NMOS邏輯門電路是全部由N溝道MOSFET構成。由于這種器件具有較小的幾何尺寸，適合于制造大規模集成電路。此外，由于NMOS集成電路的結構簡單，易于使用CAD技術進行設計。與CMOS電路類似,NMOS電路中不使用難于制造的電阻 。NMOS反相器是整個NMO邏輯門電路的基本構件，它的工作管常用增強型器件，而負載管可以是增強型也可以是耗盡型?，F以增強型器件作為負載管的NMOS反相器為例來說明它的工作原理。
上圖是表示NMOS反相器的原理電路，其中T1為工作管，T2為負載管，二者均屬增強型器件。若T1和T2在同一工藝過程中制成，它們必將具有相同的開啟電壓VT。從圖中可見，負載管T2的柵極與漏極同接電源VDD，因而T2總是工作在它的恒流區,處于導通狀態。當輸入vI為高電壓(超過管子的開啟電壓VT)時，T1導通，輸出vO;為低電壓。輸出低電壓的值，由T1，T2兩管導通時所呈現的電阻值之比決定。通常T1的跨導gm1遠大于T2管的跨導gm2，以保證輸出低電壓值在+1V左右。當輸入電壓vI為低電壓(低于管子的開啟電壓VT)時，T1截止，輸出vO為高電壓。由于T2管總是處于導通狀態，因此輸出高電壓值約為(VDD—VT)。
通常gm1在100～200之間,而gm2約為5～15。T1導通時的等效電阻Rds1約為3～10kΩ，而T2的Rds2約在100～200kΩ之間。負載管導通電阻是隨工作電流而變化的非線性電阻。
在NMOS反相器的基礎上，可以制成NMOS門電路。下圖即為NMOS或非門電路。只要輸入A，B中任一個為高電平，與它對應的MOSFET導通時，輸出為低電平;僅當A、B全為低電平時，所有工作管都截止時，輸出才為高電平。可見電路具有或非功能，即
或非門的工作管都是并聯的，增加管子的個數，輸出低電平基本穩定，在整體電路設計中較為方便，因而NMOS門電路是以或非門為基礎的。這種門電路不像TTL或CMOS電路作成小規模的單個芯片 ，主要用于大規模集成電路。
以上討論和分析了各種邏輯門電路的結構、工作原理和性能，為便于比較，現用它們的主要技術參數傳輸延遲時間Tpd和功耗PD綜合描述各種邏輯門電路的性能，如圖所示。
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