雙MOS管負載開關電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-02-03
具有反向電流保護的共漏極負載開關，共漏雙NMOS
阻斷反向電流的常見方法是使用二極管。但是使用MOSFET負載開關可以更有效地實現該功能。為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這種方法允許創建兩種反向驅動保護負載開關的替代拓撲，背靠背連接漏極或源極，稱為共漏極或共源極。
圖為共漏極雙NMOS高邊負載開關，與單NMOS高邊負載開關一樣，需要有高于Vin的HV_Ctrl驅動。
圖為共漏極雙PMOS高邊負載開關，與單PMOS高邊負載開關一樣，Ctrl端需要可以達到接近等于或高于Vin的電平，若不能直接施加，則需要增加一個三極管或者MOS管驅動G極。
具有反向電流保護的共源極負載開關，共源雙NMOS
共源極拓撲需要訪問MOSFET之間的源極連接，G極必須在MOS開啟保持電位高于S極，見圖。因為公共源極可能會浮動，如果在沒有加偏置電阻鉗固電位差的情況下，兩個NMOS均無法開啟。因為Ctrl處的電壓不低，鉗固電阻可以盡量往高值取，比如1MΩ。
圖為共源極雙NMOS高邊負載開關，與單NMOS高邊負載開關一樣，需要有高于Vin的HV_Ctrl驅動。
圖為共源極雙PMOS高邊負載開關，與單PMOS高邊負載開關一樣，Ctrl端需要可以達到接近等于或高于Vin的電平，若不能直接施加，則需要像上節一樣增加一個三極管或者MOS管驅動G極。
選型和使用注意
因為僅限于使用在高邊開關場景，從設計復雜度上不建議使用NMOS，建議使用雙PMOS共漏或共源設計，相關計算和單PMOS負載開關相似。需要注意的是，兩個MOS盡量需要保持型號相同，如果選用的兩個不一樣，可能會因為一致性差的原因導致兩個MOS關閉時間不一致或者開啟關閉時產生振蕩。
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